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● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente
Descrizione
Il MOSFET di potenziamento a canale N SOT-205 BSS23N è un componente semiconduttore versatile e ad alte prestazioni progettato per applicazioni di commutazione affidabili ed efficienti. Con una robusta tensione drain-source massima di 20 V e una corrente nominale di drain continua di 2.5 A, questo MOSFET offre un'eccellente gestione della potenza e una bassa resistenza per un'ampia gamma di circuiti elettronici.
Caratteristiche
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente
Applicazioni
● Applicazione PWM
● Interruttore di carico
| Nome del file | Titolo | Descrizione |
|---|---|---|
| BSS205N SOT-23.pdf | BSS205N SOT-23 | - |
| Rapporto di conformità alla Proposta 65_1.pdf | Rapporto di conformità alla Proposta 65_1 | - |
| Rapporto di conformità alla Proposta 65_2.pdf | Rapporto di conformità alla Proposta 65_2 | - |
| REACH.pdf | REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevity ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sui tempi previsti per l'ordinazione dei nostri prodotti. Il Programma NLP viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro Management Team. Consulta il nostroprogramma di longevità<a href="https://italymeetshollywood.com/wp-content/uploads/2025/02/Catalogo_GDC_2025_web.pdf">questo link</a>
● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente ● Prodotto senza piombo acquisito ● Pacchetto per montaggio superficiale
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET ● Progettazione di celle ad alta densità per basso RDS(ON) ● Commutazione ad alta velocità
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET ● Progettazione di celle ad alta densità per basso RDS(ON) ● Commutazione ad alta velocità
● Pacchetto eccellente per una buona dissipazione del calore ● Carica di gate ultra bassa ● Bassa capacità di trasferimento inverso
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET ● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET ● Progettazione di celle ad alta densità per basso RDS(ON) ● Commutazione ad alta velocità
● Tecnologia Trench Power MV MOSFET ● Eccellente pacchetto per la dissipazione del calore ● Progettazione di celle ad alta densità per basso RDS(ON)
● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente ● Prodotto senza piombo acquisito ● Pacchetto per montaggio superficiale
