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● Commutazione rapida
● Testato contro le valanghe al 100%.
● Capacità dv/dt migliorata
Descrizione
Questo MOSFET a canale N offre prestazioni affidabili con una tensione drain-source massima (Vdss) di -20 V e una corrente di drenaggio continua (Id) di -2A. È ideale per circuiti che richiedono una commutazione stabile ed efficiente.
Caratteristiche
● VDS=30 V,ID= 178A
● RDS（ON）TIPO = 1.1 mΩ @VGS = 10 V.
● RDS（ON）TIPO = 2.1 mΩ @VGS = 4.5 V.
● RDS(ON) con resistenza molto bassa
● LowCrss
● Cambio veloce
● Testato contro le valanghe al 100%.
● Capacità dv/dt migliorata
Applicazioni
● Interruttore di corrente per DC/DC, AC/DC
● Power Management
● Guida a motore, ricarica rapida/wireless
| Nome del file | Titolo | Descrizione |
|---|---|---|
| SL180N03Q PDFN5x6-8L.pdf | SL180N03Q PDFN5x6-8L | - |
| Rapporto di conformità alla Proposta 65_1.pdf | Rapporto di conformità alla Proposta 65_1 | - |
| Rapporto di conformità alla Proposta 65_2.pdf | Rapporto di conformità alla Proposta 65_2 | - |
| REACH.pdf | REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
Assistenza
Se hai bisogno di supporto tecnico/di progettazione, faccelo sapere e compilaModulo di rispostaTi risponderemo il prima possibile.
Longevità
Il Programma Longevity ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sui tempi previsti per l'ordinazione dei nostri prodotti. Il Programma NLP viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro Management Team. Consulta il nostroprogramma di longevità<a href="https://italymeetshollywood.com/wp-content/uploads/2025/02/Catalogo_GDC_2025_web.pdf">questo link</a>
● Testato al 100% contro le valanghe ● Commutazione rapida ● Capacità dv/dt migliorata
● Testato al 100% contro le valanghe ● Commutazione rapida ● Capacità dv/dt migliorata
● Commutazione rapida ● Bassa resistenza ON ● Bassa carica di gate
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET ● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente
● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente ● Prodotto senza piombo acquisito ● Pacchetto per montaggio superficiale
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET ● Progettazione di celle ad alta densità per basso RDS(ON) ● Commutazione ad alta velocità
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET ● Progettazione di celle ad alta densità per basso RDS(ON) ● Commutazione ad alta velocità
● Pacchetto eccellente per una buona dissipazione del calore ● Carica di gate ultra bassa ● Bassa capacità di trasferimento inverso
