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● Gestione di potenza elevata: Vdss 30 V, Id 12 A per applicazioni robuste.
● Basso RDS(on): commutazione efficiente con 7.5 mΩ a Vgs 10 V.
● Design compatto: package SOP-8 per soluzioni salvaspazio.
Descrizione
Il MOSFET di potenza a canale N in package SOP-8 è progettato per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza. Con una Vdss di 30 V e una corrente di drain continua (Id) di 12 A, offre prestazioni eccezionali nei circuiti di gestione dell'alimentazione più complessi. Il dispositivo presenta una bassa RDS(ON) di soli 7.5 mΩ, garantendo perdite di conduzione minime, mentre la soglia di gate di 2.5 V lo rende adatto per applicazioni di pilotaggio a bassa tensione. Questo MOSFET è ideale per l'uso in sistemi di alimentazione compatti ed efficienti.
Caratteristiche
●VDS (V) = 30 V
● IoD = 15 A (VGS = 10V)
● rDS (ON) ＜ 7.5 mΩ (VGS = 10V)
● rDS (ON) ＜ 11.0 mΩ (VGS = 4.5V)
Applicazioni
● Convertitori CC-CC
● Controllo motore
● Sistemi di gestione dell'alimentazione
| Nome del file | Titolo | Descrizione |
|---|---|---|
| 已压缩-SL4406-SOP-8.pdf | （已压缩）SL4406 SOP-8 | - |
| Rapporto di conformità alla Proposta 65_1.pdf | Rapporto di conformità alla Proposta 65_1 | - |
| Rapporto di conformità alla Proposta 65_2.pdf | Rapporto di conformità alla Proposta 65_2 | - |
| REACH.pdf | REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevity ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sui tempi previsti per l'ordinazione dei nostri prodotti. Il Programma NLP viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro Management Team. Consulta il nostroprogramma di longevità<a href="https://italymeetshollywood.com/wp-content/uploads/2025/02/Catalogo_GDC_2025_web.pdf">questo link</a>
● Dispositivo ecologico disponibile. ● Pacchetto eccellente per una buona dissipazione del calore. ● Tecnologia avanzata di trincea ad alta densità di celle per RDS(ON) ultra basso
● Il leadframe in rame a bassa impedenza termica SOP-8 consente di risparmiare spazio sulla scheda ● Velocità di commutazione elevata ● Tecnologia trench ad alte prestazioni
● Carica di gate super bassa ● Eccellente declino dell'effetto CdV/dt ● Dispositivo ecologico disponibile
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET ● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente
● 100% UiS + R, testato ● Affidabile e robusto ● Disponibili dispositivi senza piombo ed ecologici (conformi a RoHS)
● MOSFET di potenza TrenchFET ● BASSO RDS(ON). ● Pacchetto a montaggio superficiale
● La carica di gate ultra bassa causa requisiti di guida inferiori ● Testato al 100% contro le valanghe ● Conforme a ROHS
● La carica di gate ultra bassa riduce i requisiti di guida ● Testato al 100% contro le valanghe ● Conforme a ROHS
