La struttura interna del diodo a recupero rapido è diversa dal normale diodo di giunzione PN, che appartiene al diodo di giunzione PIN, ovvero la regione di base I viene aggiunta al centro del materiale in silicio di tipo P e del materiale in silicio di tipo N per formare il PIN wafer di silicio. Poiché la regione di base è molto sottile, la carica di recupero inverso è molto piccola, quindi il tempo di recupero inverso del diodo a recupero rapido è più breve, la caduta di tensione diretta è inferiore e la tensione di rottura inversa (valore di tensione di resistenza) è maggiore.