Il carburo di silicio SiC è un materiale semiconduttore composto composto da silicio Si e carbonio C, solitamente di tipo cristallino 4H-SiC. La sua intensità di campo di rottura dell'isolamento è 10 volte quella del Si, il gap energetico è 3 volte quello del Si, la conduttività termica è 3 volte quella del Si e la velocità di deriva della saturazione è 2 volte quella del Si. È un materiale per dispositivi elettronici di potenza molto superiore rispetto al Si.