L'IGBT (transistor bipolare a gate isolato), è composto da un MOS (transistor ad effetto di campo a gate isolato) e un BJT (transistor bipolare). È un dispositivo a semiconduttore di potenza pilotato dalla tensione. L'IGBT può essere un singolo dispositivo discreto o un modulo, ciascuno con la propria gamma di applicazioni. Nell'industria, viene utilizzato nel controllo del traffico, nella conversione di potenza, nei motori industriali, nei gruppi di continuità UPS, nelle turbine eoliche e nelle apparecchiature a energia solare, nei convertitori di frequenza, ecc. Nell'elettronica di consumo, viene utilizzato negli elettrodomestici, nelle pile di ricarica, nei veicoli elettrici , utensili elettrici, ecc.