IGBT

L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) è composto da un MOS (Insulated Gate Field Effect Transistor) e da un BJT (Bipolar Transistor). È un dispositivo a semiconduttore di potenza azionato dalla tensione. L'IGBT può essere un singolo dispositivo discreto o un modulo, ognuno con una propria gamma di applicazioni. In ambito industriale, viene utilizzato nel controllo del traffico, nella conversione di potenza, nei motori industriali, nei gruppi di continuità UPS, nelle turbine eoliche e nelle apparecchiature per l'energia solare, nei convertitori di frequenza, ecc. Nell'elettronica di consumo, viene utilizzato in elettrodomestici, stazioni di ricarica, veicoli elettrici, utensili elettrici, ecc.