2N7002DW MOSFET di potenziamento a canale N SOT-363

MOSFET a canale N, con 60 V Vdss, 800 mA Id, 7.5 mΩ RDS(ON) e 1 V Vgs(th). Ideale per applicazioni di commutazione a bassa tensione e alta efficienza.

● Perfetto per attività di commutazione e controllo lato basso
● Adatto a una varietà di applicazioni a corrente moderata
● Commutazione efficiente con minima perdita di potenza e generazione di calore

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I nostri vantaggi
I processi di produzione cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. I nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale. 


Descrizione generale

Il MOSFET di miglioramento a canale N 2N7002DW è progettato per applicazioni di commutazione e controllo ad alta efficienza, offrendo prestazioni eccezionali in un contenitore SOT-363 compatto. Con la sua capacità di alta tensione, bassa resistenza in conduzione e gestione affidabile della corrente, il 2N7002DW è la scelta ideale sia per l'elettronica di consumo che industriale dove i vincoli di spazio e una gestione efficiente dell'energia sono fondamentali.


Caratteristiche

● Perfetto per compiti di commutazione e controllo low-side, fornisce prestazioni affidabili con un'efficiente gestione della potenza.

● In grado di resistere a tensioni drain-source fino a 60 V, adatto per applicazioni che richiedono una tolleranza di tensione da moderata ad alta.

● Supporta una corrente di drenaggio continua fino a 1 A, rendendolo adatto a una varietà di applicazioni a corrente moderata.

● Presenta una bassa resistenza di 7.5 mΩ con una tensione gate-source di 5 V e una corrente di drain di 50 A, garantendo una commutazione efficiente con perdita di potenza e generazione di calore minime.

● Fornisce una tensione di soglia gate-source di 1 V con una corrente di drain di 250 μA, consentendo una commutazione efficace con una tensione di pilotaggio del gate relativamente bassa.

● Confezionato in un ingombro SOT-363 compatto, ideale per progetti con vincoli di spazio in cui è essenziale ridurre al minimo l'area della scheda.


Applicazioni

● Commutazione low-side: adatta per applicazioni di commutazione low-side in cui sono richieste elevata efficienza e prestazioni affidabili.

● Gestione dell'alimentazione: efficace nei circuiti di gestione dell'alimentazione, offre un'efficiente gestione della potenza e una ridotta dissipazione del calore.

● Elettronica di consumo: ideale per vari dispositivi elettronici di consumo in cui l'efficienza dello spazio e le prestazioni elevate sono cruciali.





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