Equivalente alternativo per Infineon IRFR5305TRPBF | MOSFET di potenza a canale P Slkor IRFR5305

MOSFET a canale P in package TO-252, con -60 V Vdss, -30 A Id, 26 mΩ RDS(on), -1.8 V Vgs(th) e 50 W Pd. La serie offre soluzioni efficienti per applicazioni di commutazione ad alta potenza e bassa tensione.

● Dispositivo ecologico disponibile.
● Tecnologia avanzata di trincea ad alta densità cellulare per ultra RDS(ON).
● Ottimo involucro per una buona dissipazione del calore.

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I nostri vantaggi:

I processi produttivi cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale. I componenti elettronici a semiconduttore Slkor possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica. 

Equivalenti alternativi Slkor per Infineon:

InfineonSostituzioni Slkor
Numero d'identificazioneNumero d'identificazionecategoria di prodottoCONFEZIONE
IRF640NPBFIRF640MOSFETTO-220
IRFR5305TRPBFIRFR5305MOSFETTO-252
TLE4275SL4275IO FACCIOTO-252
TLE4284SL4284IO FACCIOTO-252
TLF4949SL4949IO FACCIOSOP-8
TLE42754GSL4275-GIO FACCIOA-263-5
TLE4264SL4264-2IO FACCIOOGGI-223
TLE42744SL42744DIO FACCIOA-252-3
TLE42764SL42764IO FACCIOA-252-5
BCR401SL401Circuito integrato del driver del cancelloOGGI-23
BTS3405GSL3405SInterruttori di alimentazione intelligentiSOP-8
TLE4264SL4264-2Diodo ZenerOGGI-223
TLE8366SL8366Regolatore DC-DCESOP-8
IR21814/IRS21814SL21814Circuito integrato del driver del cancelloSOP-14
IR2110SSL2110Circuito integrato del driver del cancelloSOP-16W
IRS2003SSL2003Circuito integrato del driver del cancelloSOP-8
IRS2004SL2004Circuito integrato del driver del cancelloSOP-8
IR2103SSL2103Circuito integrato del driver del cancelloSOP-8

Descrizione :

Questo MOSFET a canale p utilizza una tecnologia e un design trench avanzati per fornire un eccellente RDS(ON) con bassa carica di gate. Può essere utilizzato in un'ampia gamma di applicazioni.

Caratteristiche :

● Vs=-60V,l=-30A,RDS(ON)<35m Ω @VGS=-10V

● Bassa carica di gate.

● Dispositivo ecologico disponibile.

● Tecnologia avanzata di trincea ad alta densità cellulare per ultra RDS(ON).

● Ottimo involucro per una buona dissipazione del calore.



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Il Programma Longevity ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sui tempi previsti per l'ordinazione dei nostri prodotti. Il Programma NLP viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro Management Team. Consulta il nostroprogramma di longevitàqui.

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Type:P-Channel Vdss:-20V Id:-2.8A Pd:400mW RDS(on)@Vgs,Id:112mΩ@4.5V,2.8A Vgs(th)@Id:1V@250μA

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● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente ● Prodotto senza piombo acquisito ● Pacchetto di montaggio superficiale

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● Basso RDS(on): ha un RDS(on) di 130 mΩ a 10 V Vgs e 2.2 A Id, garantendo prestazioni efficienti con una perdita di potenza minima. ● Elevata corrente nominale: in grado di gestire una corrente massima (Id) di 2.2 A, rendendolo adatto per applicazioni di media potenza. ● Dissipazione di potenza: con una dissipazione di potenza massima (Pd) di 1000 mW, offre un funzionamento affidabile anche in condizioni di carico moderato.

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● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente ● Prodotto senza piombo acquisito ● Pacchetto per montaggio superficiale

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● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente ● Prodotto senza piombo acquisito ● Pacchetto per montaggio superficiale

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● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente ● Prodotto senza piombo acquisito ● Pacchetto per montaggio superficiale

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