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● Dispositivo ecologico disponibile.
● Tecnologia avanzata di trincea ad alta densità cellulare per ultra RDS(ON).
● Ottimo involucro per una buona dissipazione del calore.
I nostri vantaggi:
I processi produttivi cinesi hanno subito anni di iterazione, dando vita a tecnologie mature e affidabili. Molte aziende internazionali optano per l’outsourcing della produzione in Cina. In qualità di produttore di componenti elettronici in Cina, i nostri prodotti vantano un'elevata coerenza in termini di qualità, prezzi ragionevoli, ampio inventario, fornitura flessibile, tempi di consegna brevi e servizio post-vendita professionale. I componenti elettronici a semiconduttore Slkor possono sostituire completamente quelli dei principali marchi internazionali nel 99% delle applicazioni senza la necessità di test di verifica.
Equivalenti alternativi Slkor per Infineon:
| Infineon | Sostituzioni Slkor | ||
| Numero d'identificazione | Numero d'identificazione | categoria di prodotto | CONFEZIONE |
| IRF640NPBF | IRF640 | MOSFET | TO-220 |
| IRFR5305TRPBF | IRFR5305 | MOSFET | TO-252 |
| TLE4275 | SL4275 | IO FACCIO | TO-252 |
| TLE4284 | SL4284 | IO FACCIO | TO-252 |
| TLF4949 | SL4949 | IO FACCIO | SOP-8 |
| TLE42754G | SL4275-G | IO FACCIO | A-263-5 |
| TLE4264 | SL4264-2 | IO FACCIO | OGGI-223 |
| TLE42744 | SL42744D | IO FACCIO | A-252-3 |
| TLE42764 | SL42764 | IO FACCIO | A-252-5 |
| BCR401 | SL401 | Circuito integrato del driver del cancello | OGGI-23 |
| BTS3405G | SL3405S | Interruttori di alimentazione intelligenti | SOP-8 |
| TLE4264 | SL4264-2 | Diodo Zener | OGGI-223 |
| TLE8366 | SL8366 | Regolatore DC-DC | ESOP-8 |
| IR21814/IRS21814 | SL21814 | Circuito integrato del driver del cancello | SOP-14 |
| IR2110S | SL2110 | Circuito integrato del driver del cancello | SOP-16W |
| IRS2003S | SL2003 | Circuito integrato del driver del cancello | SOP-8 |
| IRS2004 | SL2004 | Circuito integrato del driver del cancello | SOP-8 |
| IR2103S | SL2103 | Circuito integrato del driver del cancello | SOP-8 |
Descrizione :
Questo MOSFET a canale p utilizza una tecnologia e un design trench avanzati per fornire un eccellente RDS(ON) con bassa carica di gate. Può essere utilizzato in un'ampia gamma di applicazioni.
Caratteristiche :
● Vs=-60V,l=-30A,RDS(ON)<35m Ω @VGS=-10V
● Bassa carica di gate.
● Dispositivo ecologico disponibile.
● Tecnologia avanzata di trincea ad alta densità cellulare per ultra RDS(ON).
● Ottimo involucro per una buona dissipazione del calore.
| Nome del file | Titolo | Descrizione |
|---|---|---|
| IRFR5305 TO-252.pdf | IRFR5305 TO-252 | - |
| Rapporto di conformità alla Proposta 65_1.pdf | Rapporto di conformità alla Proposta 65_1 | - |
| Rapporto di conformità alla Proposta 65_2.pdf | Rapporto di conformità alla Proposta 65_2 | - |
| REACH.pdf | REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
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