MOSFET di potenza a canale P AOD409 TO-252

MOSFET a canale P in package TO-220, con -60 V Vdss, -30 A Id, 30 mΩ RDS(ON), soglia di gate -1.8 V e dissipazione di potenza massima (Pd) di 80 W. Adatto per commutazione di potenza efficiente ad alta corrente in applicazioni a tensione negativa.

● Progettazione di celle ad alta densità per Rdson ultra basso
● Tensione e corrente di valanga completamente caratterizzate
● Ottimo pacchetto per una buona dissipazione del calore

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Dettagli prodotti Documentazione Assistenza

Caratteristiche

● Design delle celle ad alta densità per Rdson ultra basso

● Tensione e corrente di valanga completamente caratterizzate

● Pacchetto eccellente per una buona dissipazione del calore

Applicazioni

● Applicazioni PWM

● Gestione dell'energia

● Interruttore di carico

Nome del file	Titolo	Descrizione
AOD409 TO-252.pdf	AOD409 TO-252	-
Rapporto di conformità alla Proposta 65_1.pdf	Rapporto di conformità alla Proposta 65_1	-
Rapporto di conformità alla Proposta 65_2.pdf	Rapporto di conformità alla Proposta 65_2	-
REACH.pdf	REACH	-
RoHS-1.pdf	RoHS	-

Datasheet

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