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● Design salvaspazio.
● Funzionamento efficiente.
● Ideale per applicazioni di commutazione di segnali di piccole dimensioni.
Descrizione
Il MOSFET a media tensione BSS138 è un MOSFET a canale N con una tensione drain-source (Vdss) di 50 V, una corrente di drain continua (Id) di 220 mA e una dissipazione di potenza (Pd) di 225 mW. La sua resistenza di conduzione (RDS(on) @ Vgs, Id) è di 3.5 Ω a 10 V, 220 mA, e la sua tensione di soglia (Vgs(th) @ Id) è di 1.6 V a 1 mA. Il dispositivo è offerto in un package SOT-23.
Caratteristiche
● La tensione drain-source (Vdss) è di 50 V, adatta per applicazioni a media tensione.
● La corrente di scarico continua (Id) è di 220 mA, il che lo rende adatto per applicazioni a bassa potenza.
● La dissipazione di potenza (Pd) è di 225 mW, offrendo buone prestazioni termiche.
● La resistenza di conduzione (RDS(on) @ Vgs, Id) è 3.5 Ω a 10 V, 220 mA, garantendo una bassa resistenza di conduzione.
● La tensione di soglia (Vgs(th) @ Id) è 1.6 V a 1 mA, consentendo il funzionamento in condizioni di azionamento a bassa tensione.
Applicazioni
Il MOSFET a media tensione BSS138 è adatto per l'uso in circuiti di commutazione, circuiti di azionamento di potenza e altre applicazioni in sistemi a media tensione. Può essere utilizzato anche in circuiti a bassa tensione e bassa potenza per la regolazione del livello di tensione, la gestione dell'alimentazione, gli amplificatori audio e applicazioni simili.
| Nome del file | Titolo | Descrizione |
|---|---|---|
| BSS138.pdf | BSS138 | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS | - |
| REACH.pdf | REACH | - |
| Rapporto di conformità alla Proposta 65_2.pdf | Rapporto di conformità alla Proposta 65_2 | - |
| Rapporto di conformità alla Proposta 65_1.pdf | Rapporto di conformità alla Proposta 65_1 | - |
Assistenza
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Longevità
Il Programma Longevity ha lo scopo di fornire periodicamente ai nostri clienti informazioni sui tempi previsti per l'ordinazione dei nostri prodotti. Il Programma NLP viene rivisto e aggiornato regolarmente dal nostro Management Team. Consulta il nostroprogramma di longevitàqui.
● MOSFET di potenza TrenchFET ● BASSO RDS(ON). ● Pacchetto a montaggio superficiale
● Modalità di miglioramento ● Livello logico ● dv/dt nominale
● Bassa resistenza RDS(ON) ● Bassa tensione di soglia del gate ● Bassa capacità di ingresso
● Elevata potenza e capacità di gestione della corrente ● Prodotto senza piombo acquisito ● Pacchetto di montaggio superficiale ● Conforme a RoHS
● Design super elevato per RDS(ON) estremamente basso ● Questa è una conformità RoHS completa ● Design del pacchetto SOT23-3
● Progettazione di celle ad alta densità per Rdson ultra basso ● Tensione e corrente di valanga completamente caratterizzate ● Eccellente pacchetto per una buona dissipazione del calore
● Tecnologia Trench Power MV MOSFET. ● Interruttore di segnale piccolo controllato in tensione. ● Bassa capacità di ingresso.
● Gestione di correnti elevate ● Bassa resistenza di accensione ● Commutazione affidabile
