MOSFET di media tensione

Utilizzato principalmente per circuiti di commutazione e amplificazione nella gamma di potenza media, controllo della trazione del motore e altre applicazioni.

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Nome
CONFEZIONE VDSS (V) Id(A) RDSON(Ω) VTH CARTA P / N
Modello 3D 2N7002KT-正面 2N7002KT MOSFET di potenza a canale N TO-523
Modello 3D IRFR5305-正面 Equivalente alternativo per Infineon IRFR5305TRPBF | MOSFET di potenza a canale P Slkor IRFR5305
Modello 3D AOD409-正面 MOSFET di potenza a canale P AOD409 TO-252
Modello 3D IRFR5305-正面 MOSFET di potenza a canale P IRFR5305
Modello 3D MOSFET di media tensione MOSFET SL25N10
Modello 3D SL11P06DN1-正面 SL11P06DN1 MOSFET di potenza a canale P TO-252
Modello 3D SL12N10-正面 SL12N10 MOSFET di potenza a canale N TO-252
Modello 3D SL12N10-正面 SL12N10 MOSFET di potenza a canale N TO-252
Modello 3D SL15N10A-正面 SL15N10A MOSFET di potenza a canale N TO-252
Modello 3D SL17N06DN1-正面 SL17N06DN1 MOSFET di potenziamento a canale N TO-252
Modello 3D SL20N10-正面 SL20N10 MOSFET di potenza a canale N TO-252
Modello 3D SL25N10-正面 SL25N10 MOSFET di potenza a canale N TO-252
Modello 3D SL50N06D-正面 SL50N06D MOSFET di potenza a canale N TO-252
Modello 3D SL80N08D-正面 SL80N08D MOSFET di potenza a canale N TO-252
TO-252 60V 1A 2.5Ω@10V 1.5V@250μA Canale N
TO-252 -60V -30A 26 mΩ@-10 V, -15 A -1.8 V@-250μA Canale P
TO-252 -60V -30A 30 mΩ@-10 V, -20 A -1.8 V@-250 uA Canale P
TO-252 -60V -30A 26 mΩ@-10 V, -15 A -1.8 V@-250μA Canale P
TO-252 100V 25A 45 mΩ@10 V, 15 A 3 V@250 uA N-Channel
TO-252 60V 11A 175 mΩ@10 V, 3 A 2.5V@250μA Canale P.
TO-252 100V 12A 130 mΩ@10 V, 10 A 2 V@250 uA N-Channel
TO-252 100V 12A 130 mΩ@10 V, 10 A 2 V@250 uA Canale N
TO-252 100V 15A 115 mΩ@10 V, 8 A 3V@250μA N-Channel
TO-252 60V 17A 73 mΩ@10 V, 6 A 2.5V@250μA N-Channel
TO-252 100V 20A 70 mΩ@10 V 1.5 V@250 uA Canale N
TO-252 100V 25A 35 mΩ@10 V, 15 A 1.8V@250μA Canale N
TO-252 60V 50A 14 mΩ@10 V, 25 A 1.6V@250μA Canale N
TO-252 80V 80A 4.8 mΩ@10 V, 20 A 2.5 V@250 uA Canale N
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